光刻机是芯片制造中最复杂和最昂贵的设备之一。它们在紫外线光谱中产生稳定的光束，并对该光进行过滤，直到它类似于微处理器平面图的反面。它们以几十纳米的精确程度将光聚焦并指向光敏晶片，以刻出平面图。

华为已经为EUV光刻系统中使用的一个组件申请了专利，该组件是在10纳米以下节点上制造高端处理器所必需的。它解决了紫外线产生的干扰图案问题，否则会使晶圆不平整。

华为已经解决了芯片制造最后一步的一个问题，这个问题是由极紫外光（EUV）的微小波长造成的。它的专利描述了一个镜子阵列，它将光束分成多个子光束，这些子光束与它们自己的微观镜子碰撞。这些镜子中的每一个都以不同的方式旋转，在光线中形成不同的干涉模式，这样当它们重新结合时，干涉模式就会抵消，从而形成一个统一的光束。

图为ASML光刻机内的镜子的效果图

EUV光刻系统目前由荷兰公司ASML独家制造。EUV光刻技术依靠的是与老式光刻技术相同的原理，但使用波长约为13.5纳米的光，这几乎已经是一种X射线。ASML公司从快速移动的直径约为25微米的熔融锡液滴中产生紫外光。

"当它们落下时，这些液滴首先被一个低强度的激光脉冲击中，将它们压扁成薄饼状。然后，一个更强大的激光脉冲将被压扁的液滴汽化，形成一个发射EUV光的等离子体。为了产生足够的光来制造微芯片，这个过程每秒钟要重复5万次"，ASML解释说。

华为专利中的反射镜示意图

ASML投入了超过60亿欧元和17年的时间来开发第一批可以销售的EUV光刻机。但在它们完成之前，美国政府向荷兰政府施压，禁止向中国出口，限制中国使用较老的DUV（深紫外）技术。目前，只有五家公司正在使用或已经宣布计划使用ASML EUV光刻系统。美国的英特尔和美光，韩国的三星和SK海力士，以及台湾的台积电。

像华为这样的中国科技公司以前可以把他们的设计送到台积电这样的工厂，用EUV光刻技术进行生产。但自从美国对一系列芯片企业实施制裁后，这种可能性就越来越小了。华为需要获得使用EUV光刻技术的先进节点，以继续改进其定制的处理器，这些处理器的目标客户包括从智能手机到数据中心。在制造自己的EUV系统之前，它还有很长的路要走，但他们得到了大量的资金和政府的支持，以实现这一目标。