据台媒DIGITIMES报道，三星电子将在其3nm工艺中采用透光率超过90%的最新EUV薄膜（pellicle）以提高良率，这些薄膜将来自韩国公司S&S Tech。光掩膜板材料（Blankmask）公司S&S Tech在2021年生产成功开发出了透光率达90%的半导体EUV薄膜，一举成为除了ASML之外另一家成功开发出了透光率超过90%的EUV薄膜的公司。

ChosunBiz报道，据业内人士透露，S&S Tech最早将于2023年上半年进入透光率超过90%的EUV薄膜的批量生产。S&S Tech的目标是应三星要求——将比率提高到94%。

在三星投资的半导体材料和设备供应商中，S&S Tech获得了最多的投资资金。2020年7月，三星通过注资658亿韩元（5200万美元）获得了S&S Tech的8%的股份。

据悉，薄膜在EUV工艺时代起着至关重要的作用，可以防止EUV受污染而导致良率性能不佳。

三星将采用透光率超过90%的薄膜，以尽量减少光源的损失并稳定其3nm芯片的生产良率。

据报道，目前还没有一家晶圆代工厂采用透光率超过90%的薄膜。目前，主要的EUV薄膜供应商包括荷兰的ASML、日本的三井化学、同属韩国公司的S&S Tech和FST。三星现在投资S&S Tech和FST，以开发自用EUV薄膜。

根据接受Business Next采访的专门从事半导体的分析师和专家估计，目前台积电的3nm良率可能低至60%至70%，也可能高达75%至80%。与此同时，金融分析师Dan Nystedt也在Twitter上表示，台积电目前的3nm良率与5nm良率在其生产初期相似，据媒体报道，其良率可能高达80%。