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东芝展示19nm闪存 128GB移动设备近在眼前
发布日期:2011-04-21 12:17:52  稿源：
东芝当地时间周三展示了19纳米NAND闪存芯片，这是目前存储密度最高的智能机和平板存储芯片，它采用每单位双位元结构，每颗芯片最大容量8GB，这意味着按照目前智能手机的闪存结构，128GB的产品即将出现。这款芯片还支持DDR 2.0技术，并在不久后实现三位元结构，预计iPhone 5将会成为首批产品的买家。
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