在与五角大楼签署第一阶段"快速保证微电子原型 RAMP-C 计划"两年半之后，英特尔又加深了与国防部的合作关系。英特尔、五角大楼以及由《CHIPS 法案》资助的国家安全加速器计划现已同意合作生产只能在欧洲或亚洲制造的先进芯片制造工艺的早期测试样品。

这家芯片制造商今天早些时候表示，有了 RAMP-C，美国政府将能够首次获得领先的芯片制造技术。

RAMP-C 计划的第三阶段将涵盖英特尔未来的 18A 制造工艺制造的原型。这些高端芯片制造工艺通常用于消费类处理器，因为它们在运行计算和图形重型应用时需要耗费大量电能。

为国家安全应用制造 18A 芯片是英特尔与其 DIB（国防工业基地）客户合作的一部分。这些客户包括承包商诺斯罗普-格鲁曼公司（Northrop Grumman）和波音公司（Boeing），以及微软（Microsoft）、英伟达（NVIDIA）和国际商业机器公司（IBM）等消费企业。

该技术是英特尔的下一代工艺节点，根据公司高管此前的声明，其前身（即 20A 工艺）应于 2024 年投入生产。去年年底，英特尔公司首席执行官帕特里克-盖尔辛格（Patrick Gelsinger）透露，18A 工艺已提前实现量产。

与此同时，英特尔还发布了一份2022年12月的路线图，两个月后，英特尔又发布了另一份路线图，详细说明了18A工艺可在2024年下半年实现风险生产（或英特尔所称的制造准备就绪）。RAMP-C合同的第三阶段强调了英特尔18A工艺技术、知识产权（IP）和生态系统解决方案，为大批量生产（HVM）做好了准备。

盖尔辛格还宣传英特尔 18A 芯片卓越的电源管理能力，将其与台湾半导体制造公司（TSMC）的 2 纳米技术相提并论。继Intel 3工艺之后，英特尔的芯片工艺技术术语已转向埃米级。

这意味着，纯粹根据其营销名称进行比较，18A 芯片工艺相当于 1.8 纳米。在芯片制造中，越小越好，因为更小的电路能够提高导电性和性能吞吐量。现代芯片在极小的空间内挤下了数十亿个晶体管，与前代产品相比，可以处理更多的数据。

作为今天发布会的一部分，国防部微电子工程负责人 Dev Shenoy 博士评论说，五角大楼预计"在 2025 年展示英特尔 18A 芯片的原型生产"。英特尔代工厂 RAMP-C 的第三阶段将集中于芯片设计的敲定。这是设计流程的最后阶段，工程师们将完成流程中的概念部分，并将工作转向在生产流程中指导先进芯片制造设备的掩模。

本月早些时候，英特尔公司首次开启了世界上最先进的芯片制造设备。这些被称为高 NA EUV 的机器将简化设计流程，从而缩短芯片制造时间。