SK Hynix 计划在 9 月底开始量产 12 层 HBM3E，这家韩国巨头正在为下一代人工智能市场做准备。HBM 被视为制造人工智能加速器的重要组件，因此在人工智能计算能力的发展过程中发挥着至关重要的作用。

目前，业界主要关注英伟达 Blackwell 架构中的 8 层 HBM3E；不过，市场上仍存在一种更高级的 HBM3E 变体，它主要采用 12 层配置，可带来更高的内存容量和传输速度。

SK Hynix 已成为首批宣布量产 12 层 HBM3E 的公司之一，并表示预计将于下一季度开始出货。关于 12 层 HBM3E 将带来什么，据说该标准比现有的 HBM 产品优越得多，可提供更高的容量，与 8 层 HBM3E 的 24GB 相比，每个堆栈可挤进 36GB。

此外，据说由于集成了 TSV（硅通孔）技术，它是一种更高效的工艺，可以实现高效的数据传输和最小的信号损耗。12层HBM3E尚未被市场正式采用，但有传言称英伟达可能会在Hopper和Blackwell人工智能GPU的"高级"衍生产品中采用这种技术。

说 SK Hynix 是 HBM 行业的领军企业之一不会有错，因为这家韩国巨头这几年不仅见证了客户的巨大需求，而且还在不断更新其产品库。据悉，该公司的HBM 生产线已被预订到 2025 年，而且由于人工智能狂潮带来的需求，SK Hynix 预计在未来几年内还将实现持续增长。

更重要的是，这家韩国巨头预计明年还将推出最先进的 HBM4 模块，并将于 2026 年实现量产。据说这种特殊的内存标准将给市场带来革命性的变化，特别是因为它将把 HBM4内存和逻辑半导体集成到一个封装中，这是新内存类型最令人期待的功能之一。

HBM 市场前景广阔，预计在未来几个季度将迅速发展。然而，相关公司如何相互竞争以达到最高水平将是一个有趣的问题。从目前来看，SK 海力士与三星和美光等公司的差距很大。