近日，浙江大学相关团队研发的微米和纳米钙钛矿LED（micro-PeLED和nano-PeLED），达到了传统LED难以触及的——90nm尺寸新极限，同时降尺度过程仅造成微弱的性能损耗，相关研究成果已发表在国际顶级学术期刊《自然》上。

据介绍，在电子科学领域，缩小基本器件尺寸的“降尺度”过程一直是推动技术革新的关键力量，目前最先进的显示技术是基于III-V族半导体的micro-LED，micro-LED就是一种“降尺度”的LED。

但其高昂的制造成本，再加上当像素尺寸减小到约10微米或更小时，micro-LED的效率会急剧下降，限制了其大规模商业应用的可能性。

而浙江大学狄大卫团队自2021年首次提出“微型钙钛矿LED（micro-PeLED）”概念并获得专利，钙钛矿LED是一种可应用于显示、照明和通讯等领域的新型光源，在色彩纯度、色域宽度上有极大的优势。

Micro/nano-PeLED与其他LED技术的比较

但传统制造方法容易导致非辐射能量损耗，降低LED效率，为此团队设计了一套局域接触工艺，在附加绝缘层中引入光刻制作的图案化窗口，有效避免了像素边界处的能量损耗，成功制造出像素尺寸从数百微米到90纳米的钙钛矿LED。

团队开发的micro和nano-PeLED，大约在180纳米的极小尺寸才开始显现降尺寸效应，此时的效率降低至最高值的50%，而传统micro-LED在尺寸低于10微米时效率就已经显著下降。

有源矩阵micro-PeLED微显示器呈现的图像

狄大卫表示：“论文中所展示的nano-PeLED最小可达到90纳米，是迄今为止报道的最小LED像素。”

基于此，团队创建的具有127000 PPI超高分辨率的LED像素阵列也摘得所有类型LED阵列最高分辨率的纪录。