三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。

一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。

此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。

市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，截至上个月，通用DRAM DDR4价格“连续第四个月保持平稳”。

DDR5（用于高性能PC和企业设备）价格飙升了12%，NAND成本上涨了9.6%：“连续第三个月呈上升趋势。”

除了三星外，美光和SK海力士也都已经开始全面涨价策略，其中，美光率先于第二季度对DRAM内存合约价上调10-12%。