2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。

1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”，但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。

另一方面，台积电也正在推出 2 纳米以下芯片，据报道，这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星，在其 2 纳米 GAA 技术的试产过程中，据报道其良率达到了 30%，这比 3 纳米 GAA 工艺有所提升，但仍有很大提升空间。据称，台积电也已开始开发 1.4 纳米节点，因此三星在 1 纳米工艺上的突破将使其取得一些领先优势。

根据爆料人@Jukanlosreve披露的细节，该公司的 1nm 工艺被称为“梦想中的半导体工艺”，而要实现这一目标，需要使用高数值孔径 EUV 曝光设备，而三星尚未购置此类设备。报道还提到，一些参与开发这一尖端工艺的研究人员已被调入团队。

这篇报道的有趣之处在于，此前有消息称三星已取消其1.4纳米制程，这可能是因为三星正将资源和人力集中用于2纳米技术，尽管三星并未透露采取这一举措的具体原因。假设三星成功生产出首颗1纳米晶圆，该公司也需要一段时间才能实现量产，因为其目标是在2029年，也就是四年后，在此期间，这家韩国巨头会有很大可能遇到一些生产障碍。