美光（Micron）公司于昨日公布了2025财年第四季度及全年财报，超出市场预期，并在会上透露了其最新的高带宽存储器（HBM）技术的进展。美光首席执行官Sanjay Mehrotra在财报电话会议中确认，公司下一代存储产品HBM4预计将于明年上市，并在基础JEDEC HBM4规范基础上实现重大性能提升。

Mehrotra表示：“美光的HBM4 12叠层已经准备好支持客户的平台升级。尽管对于HBM4的带宽和每针速度的性能要求不断提升，我们仍按计划推进，最近已向客户交付了首批样品，实现业界领先的2.8 TB/s带宽和每针超过11 Gb/s的数据速率。”作为对比，HBM4的JEDEC标准为2 TB/s带宽、每针8 Gb/s（总共2048针脚）。美光的方案将每针速率提升到11 Gb/s，整体带宽提升了40%，达到2.8 TB/s。

对于这一超规格的原因，美光解释称，英伟达（NVIDIA）等客户正要求HBM供应商研发更高性能的存储器，以满足计算芯片算力增长的需求。为此，美光主动突破JEDEC标准。“我们相信美光HBM4性能超越所有竞品，同时实现行业领先的能效。我们的1-gamma DRAM工艺、创新且高能效的HBM4设计、自研先进CMOS基底芯片，以及先进的封装工艺，是该产品脱颖而出的关键。”Mehrotra补充道。

此外，美光CEO还确认，在HBM4E产品中，公司将不仅提供标准产品，还可为客户定制底层逻辑芯片（base logic die）。据报道，英伟达和AMD的新一代加速器将首次应用定制版HBM存储器。在最高12层堆叠的HBM存储体系中，通过硅通孔（TSV），有望嵌入集成特殊逻辑/加速电路的定制底层芯片，以满足特殊需求。业界最新动向显示，英伟达和AMD不仅在探索这一方案，而且正积极开发采用定制基底芯片的产品，有望在AI加速器性能上达到行业领先水平。该定制芯片预计将具备数据处理、逻辑功能，更高效地路由数据包，减少延迟并提升整体性能。