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群联CEO警告:NAND闪存短缺或将持续十年
发布日期:2025-10-03 15:17:28  稿源:cnBeta.COM

Phison(群联电子)总裁潘健成(Pua Khein-Seng)近日警告称,受AI基础设施大规模建设影响,整个半导体供应链压力激增,其中经常被忽略的重要环节就是NAND闪存存储。他表示,NAND闪存短缺可能会从2026年开始,持续长达十年,这一判断远超以往行业普遍认为的1到2年短缺周期。

潘健成指出,当前NAND闪存市场面临供应紧张的主要原因,是上一轮投资后的“后遗症”所致。早前因为市场周期导致价格暴跌,各大闪存制造商纷纷收缩投资步伐,减缓扩产速度。自2023年左右开始,大量资本流向高带宽存储(HBM)领域,用于AI模型训练,因为后者利润空间更大,导致NAND领域投入减少,恰逢此时NAND需求再次上升。

他强调,云计算领域的重点也正在从AI训练转向推理阶段,而推理运算和模型存储将持续带来大量NAND闪存需求。作为SSD主控芯片的重要设计商,群联对市场需求变化的感知极具前瞻性。

目前,这一变化已影响到存储产品供应商的策略和采购节奏。例如,新的存储模块趋向将闪存更贴近内存总线,库存压力加大,一些供应商已开始提价或冻结折扣。潘健成预期,随着容量增长和价格逐渐接近机械硬盘(HDD),SSD将吞噬更多大容量存储市场,而当前机械硬盘的供货周期也已拉长。如果他对行业十年短缺的判断成为现实,数据中心将必须持续扩充存储能力,并将更多资金投入存储基础设施。

他还表示,扩建新的晶圆厂并非易事,而且目前NAND厂商在高利润的HBM领域仍有较高兴趣,在这种情况下,各方能否及时扩产以缓解长期缺口,还未有定论。

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