不过目前FeTRAM的研发还处于一个非常初级的阶段，不过从生产工艺上看，它和目前的CMOS芯片产生方法类似，因此只要解决了读写上的技术难题，生产成本预计不会太高。
研究称FeTRAM内存技术可以节省99%的能源
发布日期:2011-09-28 07:45:40
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普渡大学Birck纳米技术研究中心的研究人员最近表示，一种新的铁电晶体管随机存取记忆体FeTRAM可以实现更快的非易失性存储，同时还可以减少99%的能源使用。新的论文被刊载在美国化学学会纳米快报上，这种技术可以实现非破坏性的方式从FeTRAM晶体管读取数据，速度快，功耗低，可以实现10-20年的寿命，还可以降低发热量，减少在散热上的成本。
不过目前FeTRAM的研发还处于一个非常初级的阶段，不过从生产工艺上看，它和目前的CMOS芯片产生方法类似，因此只要解决了读写上的技术难题，生产成本预计不会太高。
不过目前FeTRAM的研发还处于一个非常初级的阶段，不过从生产工艺上看，它和目前的CMOS芯片产生方法类似，因此只要解决了读写上的技术难题，生产成本预计不会太高。
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