根据最新行业分析报告，韩国存储芯片巨头SK海力士在产能扩张方面正面临严峻挑战。美国银行发布的一份研究报告指出，SK海力士到2028年时，恐怕仅能实现其原计划新增内存产能的六分之一左右，这一分析结果打破了市场对于短期内内存供应将大幅增加的预期。

据悉，韩国政府曾明确提出在2030年实现本国存储容量翻倍的目标，并寄希望于三星和SK海力士在光州及全罗地区建设的新型超级晶圆厂来支撑这一愿景。然而，行业内部人士向媒体透露，这些新工厂的全面投产时间恐将推迟至十年之后。从基建施工到建立洁净室及安装高端芯片制造设备，整个制造生态系统的构建周期漫长，远超预期。

此外，由于技术升级及工艺微缩导致老旧工厂产能关停，韩国每年实际可运行的存储晶圆产能增幅不足10%。这意味着在当前的建设节奏下，要实现2030年的宏大产能目标将面临巨大阻碍。

这一产能扩张的滞后效应，正使三星、SK海力士及美光科技近期陷入的法律纠纷进一步复杂化。这三家内存巨头于今年6月25日在加州联邦法院遭到集体诉讼，被控共谋操纵价格。原告方指控这些厂商利用全球市场主导地位，协调一致地将战略重点转向人工智能关键领域的高带宽内存（HBM），并以此为由故意压缩DDR3和DDR4等传统内存规格的产量。分析认为，若SK海力士在产能扩充上表现得如此缓慢，这一事实恐怕难以在法庭上帮助其摆脱关于市场垄断及操纵供应的质疑。