中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。

DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的需求不断增长。

根据长鑫存储公布的信息，第五代技术平台的目标是在降低功耗和生产成本的同时，制造出性能更强、容量更高的存储器产品。公司表示，新平台将为终端电子产品厂商提供更多存储芯片供应来源，增强产业链供应弹性。

作为中国最大的DRAM生产企业，长鑫存储此次重点提升了存储单元密度。通过将负责数据存储的微小结构进一步缩小并提高集成度，新平台能够在同样面积下容纳更多存储单元，同时提高单片晶圆可切割出的芯片数量，从而提升总体产出效率。

长鑫存储透露，新平台已经将存储阵列关键结构间距缩小至11.95纳米，相当于约120亿分之一米。为了实现这一目标，公司采用了四重图形化工艺，即通过重复执行多个制造步骤来形成更加精细的电路结构，从而突破传统工艺限制。

在安徽合肥举行的2026世界制造业大会期间，长鑫存储市场中心负责人罗晓东表示，公司的工艺能力已经达到当前全球最先进量产存储平台的同等水平。

伴随新平台量产，长鑫存储还同步发布了两款基于第五代平台制造的24Gb LPDDR5X移动存储芯片。LPDDR5X是一种主要应用于智能手机和平板电脑等移动设备的低功耗DRAM标准。

新产品容量相比上一代同类产品提高50%，并已进入量产阶段。根据不同终端产品需求，两款产品分别提供不同封装形式，以适用于智能手机以及各类便携式电子设备设计。

除了单颗芯片容量提升之外，新平台还显著改善了制造效率。长鑫存储表示，以8Gb产品作为比较基准时，第五代平台每片晶圆能够产出的芯片数量至少比第四代平台提高50%。

这一指标并不代表最终良品率，而是指在剔除缺陷芯片之前，单片晶圆理论上可以切割出的芯片总数量。不过，对于存储器产业而言，提升晶圆利用率依然是降低成本和增强竞争力的重要途径。

公司同时透露，第五代平台研发过程中大量使用了计算机仿真技术，并与中国本土半导体设备厂商在关键制造环节展开联合开发。相关合作帮助长鑫存储逐步建立更加完整的国产供应链体系，并减少对外部技术的依赖。

此次技术进展也正值全球存储产业竞争持续加剧之际。随着人工智能产业快速扩张，对高性能存储器需求出现爆发式增长，全球主要存储厂商纷纷加大先进DRAM和HBM产品投入。

对于中国而言，长鑫存储第五代平台进入量产不仅意味着技术能力进一步提升，也代表本土存储产业正在向更先进工艺节点持续迈进。未来随着新一代移动存储产品逐步进入市场，长鑫存储与国际头部厂商之间的竞争预计将进一步加剧。

在全球存储产业格局不断变化的背景下，第五代DRAM平台正式量产被认为是长鑫存储发展历程中的又一个重要节点，同时也为中国半导体产业提升自主供应能力增添了新的筹码。