HMC是采用硅穿孔(TSV,Through Silicon Via)技术,将多个芯片堆叠在一起,采用一个逻辑层控制的新内存架构方案。可极大提高内存带宽,能耗比效率是目前低电压版DDR3内存的7倍,性能是其15倍之多。
而HMC技术最大的挑战就是内存的实际封装问题,相信在业界龙头Intel、美光、三星的合力攻关之下一定会有对应的解决方法。
文/驱动之家
HMC是采用硅穿孔(TSV,Through Silicon Via)技术,将多个芯片堆叠在一起,采用一个逻辑层控制的新内存架构方案。可极大提高内存带宽,能耗比效率是目前低电压版DDR3内存的7倍,性能是其15倍之多。
而HMC技术最大的挑战就是内存的实际封装问题,相信在业界龙头Intel、美光、三星的合力攻关之下一定会有对应的解决方法。
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