这种RRAM结构属于NOR闪存类型,将高性能单晶硅晶体管与电路中的第四基本元件——记忆电阻成对结合,以二氧化钛作为基底。或许解决容量问题后,未来采用这种材料的衣服真的可以做到智能化……
返回上一页 首页 | cnbeta报时: 05:22:49
文字版 标准版 电脑端