SoVolta开发的DDC晶体管制造的576Kb SRAM模块最低可在0.425V电压下工作，相比目前常用SRAM最低0.7V左右的工作电压减少了40%左右。相对于效果类似的ETSOI和Tri-Gate制程，SuVolta与富士通的这种技术更加简便易行。
富士通半导体计划继续改进此技术，并应客户要求将低功耗特性全面导入对应的产品中，对于逐渐SoC化的移动处理器来说这的确是个不错的消息。
隧道电子扫描显微镜（TEM）下的DDC晶体管
DDC晶体管与普通晶体管的阈值电压对比
SoVolta开发的DDC晶体管制造的576Kb SRAM模块最低可在0.425V电压下工作，相比目前常用SRAM最低0.7V左右的工作电压减少了40%左右。相对于效果类似的ETSOI和Tri-Gate制程，SuVolta与富士通的这种技术更加简便易行。
富士通半导体计划继续改进此技术，并应客户要求将低功耗特性全面导入对应的产品中，对于逐渐SoC化的移动处理器来说这的确是个不错的消息。
隧道电子扫描显微镜（TEM）下的DDC晶体管
DDC晶体管与普通晶体管的阈值电压对比