美光还特意展示了当前内存技术在不同rank之间读取时候的时序局限。由于系统限制，会在数据总线上出现一个周期的滞后，进而影响整体系统带宽。美光宣称3DS技术可以消除这些局限，特别是可以从不同rank那里接受读取指令，从而“改进数据总线利用率和带宽”。
在此之前，美光已经利用IBM 32nm HKMG工艺量产3D TSV硅穿孔内存芯片。
美光还特意展示了当前内存技术在不同rank之间读取时候的时序局限。由于系统限制，会在数据总线上出现一个周期的滞后，进而影响整体系统带宽。美光宣称3DS技术可以消除这些局限，特别是可以从不同rank那里接受读取指令，从而“改进数据总线利用率和带宽”。
在此之前，美光已经利用IBM 32nm HKMG工艺量产3D TSV硅穿孔内存芯片。