首先是2Gb DDR3Lm，相比标准2Gb DDR3L（低电压版DDR3）芯片，其功耗可以降低50％左右，最高频率为1600MHz。而4Gb DDR3Lm同样主打低功耗，待机状态下功耗只有3.7mA IDD6，最高频率可达1866MHz。二者都采用了美光30nm新工艺，以进一步优化功耗以及性能，非常适合于超轻薄笔记本电脑及平板电脑等移动产品。

美光DRAM市场部副总裁Robert Feurle表示，对于目前快速发展超轻薄移动市场来说，低功耗的作用尤为凸显。而美光在传统PC内存上已经积累了很多经验，这些都为消费者提供了高性能 以及高性价比的产品。而正是我们向消费者提供的承诺以及在内存技术拥有的领先地位带来了这款成功的30nm工艺产品。

目前，美光已经拿出了DDR3Lm内存的样品，预计会在2012年第2季度大规模量产，而Intel也已经准备对此产品提供支持，并将会鼓励其合作伙伴在基于Atom的平板点电脑和超轻薄本上使用DDR3Lm内存。

负责Intel内存管理经理Geof Findley也表示，目前的计算越来越移动化，低功耗和更长的续航时间对于用户来说也越来越有价值，而这也是未来内存的正确方向。

文/驱动之家