"内存墙"(memory wall)这个壁垒，需要一个全新的架构来突破，而这就是HMC要带给桌面的。
如果你见过Nvidia公司最近宣布的下一代(2016ish)Volta图形卡(使用了一个堆叠的DRAM设计，据称可提供1TB/s的带宽)，那么看到下图的HMC说明图，你或许会觉得有点眼熟。
HMC联盟的要求没有想象中的那么高，但其产品仍可能无法在3年内席卷市场。镁光计划在今天秋季制作堆叠式DRAM的样品，并希望在明年上半年开始生产。
HMC的堆叠式DRAM芯片采用了一个叫做"垂直互连访问"的技术(Vertical Interconnect Access)，使得电器线路可以垂直通过堆叠的DRAM硅片。内存块的核心，坐在基板的一块逻辑芯片上。
现有的原型，有着128或256的内存banks。且据镁光的一名执事称，首个HMC规范将提供2GB和4GB的封装，以及高达160GB/s的双向带宽。相较而言，DDR3和DDR4则分别只有11GB/s和18-20GB/s之间的带宽。
除了比标准的DRAM快15倍的速度，HMC联盟还表示，其功耗将降低70%。
[编译自：techspot]