现有NAND闪存即将迎来革命性发展，昨天三星正式宣布已经批量投产全球首款3D垂直设计的NADA闪存“V-NAND”，采用三星特殊设计改良的垂直单元机构，能够最高叠到24层，每层最高容量为128Gb(16GB)，这就意味着未来的智能手机内置存储有望突破到384GB，这大大改善了现有移动手机 内置存储的容量瓶颈。

    使用V-NAND具备以下几个优点：首先新的芯片在可靠性方面提高了2到10倍，相比较现有10nm制程的闪存内存的能够带来2倍以上的传输性能的提升。而这种多层次的架构体系除了能够带来性能上的提升之外还能进一步减少处理器单元尺寸。

   这些V-NAND芯片未来有望装备在消费级别的SSD设备上，或者在不久的将来嵌入到移动终端的内置存储中来。