东芝日前展示了他们和闪迪联合开发的15nm NAND闪存，但是对于核心面积、存储密度等关键参数只字未提，AnandTech于是进行了一番探索，结果相当震惊。结合晶圆尺寸经过估算，东芝/闪迪15nm 128Gb(16GB)闪存颗粒的面积为139平方毫米，相比于美光16nm小了足足20％，对比美光20nm更是小了超过31％。

存储密度也就很容易得出了：0.92Gb每平方毫米。这已经十分逼近三星堆叠了24层的同容量颗粒，甚至超过了第一代的32曾堆叠(86Gb)，也创下了平面闪存的最新记录，比此前美光16nm提高了足足24％。

东芝和闪迪要到2016年初才会进入3D闪存时代，原因就不言自明了：15nm工艺都可以如此有效地缩小面积、提高密度，干吗要急着3D？

目前官方还没有公布详细的架构图，所以不知道东芝/闪迪究竟用了什么方法才有如此高校的成果。

东芝/闪存15nm闪存正在开始加紧量产，相关固态硬盘产品会在第四季度推出。