近日，据韩国媒体报道，业内人士透露了三星将在明年的 Galaxy S6 上采用通用闪存（Universal Flash Storage），传输速度更快，功耗更低。韩媒 Etnews 称，三星电子将会在年底量产 UFS 2.0 NAND 闪存，并有望运用于该公司下一代旗舰手机 Galaxy S6。

这是继“Project Zero”和曲面双侧屏后，韩国媒体为 Galaxy S6 释出的又一重磅新闻。

相比传统的 eMMC 闪存，UFS 存储标准将固态硬盘（SSD）的高速传输和 eMMC 的低功耗特点相结合，传输速度可三倍于 eMMC 达到 1.2GB/s，功耗也有望在未来降低至 eMMC 的一半。目前，正在开发 UFS 的厂商除三星电子以外，还有海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）、晟碟（SanDisk）等。

三星的 UFS 计划不仅在 Galaxy S6，据悉该公司将逐步在旗舰手机和平板上以 UFS 取代传统的 SD 卡和 Micro SD 卡。预见这一新存储标准将成为主流的也不止三星，国内厂商被传也有此意，意欲和三星拼到底。