早在2013年三星电子宣布，它将开始大规模生产8-gigabit LPDDR4移动DRAM，在理论上可以让智能手机厂商生产内存4GB的智能手机。目前三星Galaxy S5系统内存容量2GB，Galaxy Note 3系统内存3GB。三星准备在2015年将这些功能强大的芯片集成到其高端智能手机当中的

三星准备生产20nm 8-gigabit LPDDR4内存，性能和密度是之前4-gigabit DDR3内存的2倍。三星存储销售和市场营销负责人表示，这种8-gigabit内存芯片非常适合UHD大屏旗舰手机设备。作为移动存储重大进步，三星将继续密切与全球移动设备制造商合作，以优化DRAM解决方案，使它们适用于下一代移动操作系统环境。

三星这番言论也引发外外界猜测，认为明年“大屏旗舰”设备会采用三星4GB芯片，支持4K分辨率，搭配智能手机的VR头盔肯定会从增加的像素数中受益。