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英特尔预测:明年内DDR3无法取代DDR2
发布日期:2008-08-20 18:22:47  稿源:
今天,英特尔战略部门经理Carlos Weissenberg在秋季英特尔信息技术峰会上表示,2009年年底之前,DDR3内存都不会全面取代DDR2内存.Weissenberg通过幻灯片向与会人员解释说,在未来的16个月内,DDR2内存仍将占据内存市场的主导地位.随着低电压DDR3内存的不断问世,明年内DDR3内存会取得巨大的发展.届时将出现电压为1.35V的DDR3内存,而目前DDR3内存的电压主要是1.5V.此后,DDR3内存在市场中的张力会越来越大.不过Weissenberg也表示无法预测DDR3内存的价格何时才能够更平易近人.
尽管Weissenberg承认目前DDR3内存还不能大范围普及,但他说英特尔始终认为DDR3取代DDR2是大势所趋.“我们正在与内存供应商进行合作,以推动DDR2更快向DDR3过渡.”Weissenberg表示,“我们未来的芯片组都将只支持DDR3内存,Nehalem处理器架构也是如此.”

同时,参加本次IDF的奇梦达(Qimonda)资深市场总监Tom Trill也表示赞同英特尔的观点,并且他还在IDF上展示了奇梦达关于制造16GB和32GB DDR3内存的发展规划.

虽然DDR3离我们绝大多数人还很遥远,但是DDR3内存的继任产品DDR4却已经被列入英特尔和奇梦达未来的发展蓝图中.Tom Trill预测,第一批DDR4内存有望在2012年问世,其总线频率约是2133MHz,运行电压是1.2V.同时他还预测,2013年应该可以看到2667MHz、1.0V的DDR4内存产品.

编译/小熊在线
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