当前的SLC闪存每个存储单元可以存储一位数据，而MLC闪存可以存储2位。增加MLC闪存的位数，可以增加存储容量，这需要更小的制程来实现。而增加MLC的位数对读写性能将有直接的影响，它将带来更快的速度。结合ExtremeFFS技术，将把现有随机写入速度提高100倍。据悉正式的产品将在2009年内上市。
MLC和SLC对比
SanDisk新技术将使SSD写入速度提高100倍
发布日期:2008-12-01 12:28:42
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目前SSD市场的强大潜力被高价，低容量，和中等写入性能三方面所限制。SanDisk公司称，他们已经找到了解决这些问题的方法。他们利用MLC闪存，并结合他们的ExtremeFFS技术来实现。该公司将在2009年底之前转入34nm进程，并计划发布3位和4位的MLC闪存。
当前的SLC闪存每个存储单元可以存储一位数据，而MLC闪存可以存储2位。增加MLC闪存的位数，可以增加存储容量，这需要更小的制程来实现。而增加MLC的位数对读写性能将有直接的影响，它将带来更快的速度。结合ExtremeFFS技术，将把现有随机写入速度提高100倍。据悉正式的产品将在2009年内上市。
MLC和SLC对比
当前的SLC闪存每个存储单元可以存储一位数据，而MLC闪存可以存储2位。增加MLC闪存的位数，可以增加存储容量，这需要更小的制程来实现。而增加MLC的位数对读写性能将有直接的影响，它将带来更快的速度。结合ExtremeFFS技术，将把现有随机写入速度提高100倍。据悉正式的产品将在2009年内上市。
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