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氧化锌将成为创造高性能LED的突破点
发布日期:2008-12-10 20:29:49  稿源：
据国外媒体报道，德国科学家采用氢进行掺杂的方法制造出更高性能的LED和其他半导体。他们称，在使用氧化锌制造半导体时，合理控制氢原子将成为一个关键。半导体掺杂是激活半导体的必要条件，它将外来的原子掺进晶体里，而该原子可以释放（n型掺杂）或吸收一个电子（p型掺杂）。这样就在固体内部创造一个空穴。
科学家已经在努力将氢和p型掺杂结合，但是氢原子更加容易进行n型掺杂，但是这会阻碍半导体工艺。而P型掺杂才能制造LED和半导体。而氧化锌到处都是——每年全球的产量为数千吨。

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