在第39届纳斯达克投资者会议的QA环节，首席工程官、技术、系统架构和客户集团总裁Murthy Renduchintala也就公司在10nm制程的未来计划表达了信心，Renduchintala称公司在2014年设定的晶体管密度和性能目标仍然一样，也就是说公司首个10nm芯片产品将达到14nm制程芯片的2.7倍密度，这优于三星和台积电的7nm工艺。

在未来7nm制程的计划方面，Renduchintala透露公司也已经有一个不同的团队在稳步进行，尽管落后对手，当公司有信心提供更具先进和能效的芯片，尽管尚未透露计划表，他透露7nm制程将是英特尔首个部署EUV光刻工艺的制程。