3月18日消息，加州大学戴维斯分校物理学教授Sergey Savrasov在Nature Materials上发表了一篇论文。称中国和加州大学戴维斯分校的研究人员制造了具有高导电率而又非常薄的铌砷层，这种材料被称为Weyl半金属。Sergey Savrasov表示，这种材料在室温下的导电率约为铜的三倍。

更为神奇的是，该材料表面除了对电有良好的传导性还因为拓扑效应极难吸收杂质，不易产生化学变化，这意味着该材料不会随着使用时间变长而使导电性降低，有着极为广阔的半导体工业应用前景。

而由于杂质较少几近没有，所以电子不会在杂质中反弹和散射，因此电流在电路中所散发的热量也会大幅度降低，为制造更大规模的集成电路提供了基础条件。

这下那帮芯片工程师不用纠结几纳米的工艺制程而头疼了，不过这个技术刚刚问世，离实际应用还有相当远的距离，需要大家耐心等待了。