三星今日宣布他们将把
新的相变PRAM存储体于今年6月份推向市场。这款新产品将具备
512MB容量。这种新的相变RAM--PRAM是一种揉合了NAND/NOR优点的存储设备,
它兼具NOR存储体的快速读写特性和NAND存储体可永久保留数据的稳固性。三星声称这种存储体的数据读取速度要比采用内存+非易失性存储设备的组合快30倍左右。
三星在硫化玻璃材料的特性研究上的进展促成了新一代PRAM的诞生,新PRAM中使用的硫化玻璃材料能按要求快速转换为晶体或特殊形状,这样就能使存储体具备反应迅速和即使在掉电状态下也可以保持存储内容的优点。
由于兼具内存和非易失性存储设备的功能,因此这种闪存可以有效节省机内空间,看起来非常适合移动设备使用。不过三星并没有提及将采用PRAM的产品,也没有对外透露潜在客户的具体名称。
CNBeta编译
原文:electronista