据悉两家公司将在年内完成相变存储产品的规范统一，这样明年两家厂商就可以推出彼此兼容的相变存储产品了。据悉，三星本月已经开始量产PRAM芯片，首批量产芯片的存储密度将达512Mb。
CNBeta编译
原文：tcmagazine
三星将联合Numonyx统一相变存储体产品标准
发布日期:2009-06-24 13:16:52
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三星电子近日宣布将与Numonyx公司共同开发用于相变存储（Phase Change Memory (PCM)）产品的统一化标准。相变内存是非易失性存储技术的又一项重大革新，使用这项技术的存储体在读取速度方面能达到现有NOR/NAND闪存的30 倍，寿命方面也比传统闪存高10倍左右。
三星与Numonyx公司携手开发的这种统一化标准能使两家厂商的相变存储产品实现软/硬件的相互兼容。标准的统一将有利于两家厂商缩短开发和设计过程所花费的时间。两家厂商的相变存储技术将主要面向支持JEDEC LPDDR2标准的移动设备，嵌入式设备等。
据悉两家公司将在年内完成相变存储产品的规范统一，这样明年两家厂商就可以推出彼此兼容的相变存储产品了。据悉，三星本月已经开始量产PRAM芯片，首批量产芯片的存储密度将达512Mb。
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据悉两家公司将在年内完成相变存储产品的规范统一，这样明年两家厂商就可以推出彼此兼容的相变存储产品了。据悉，三星本月已经开始量产PRAM芯片，首批量产芯片的存储密度将达512Mb。
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