据存储业者透露，三星电子最近已开始向合作厂商提供35nm制程NAND闪存芯片的样品，而东芝此前也宣称下半年将开始32nm制程3-bit/cell MLC闪存芯片量产，这意味着32Gb存储密度将很快成为30nm级别NAND闪存市场的主流。此外，据称东芝也将于下月开足马力生产NAND闪存芯片， 而预计三星也会采取跟进增产策略。 据称东芝这批增产的NAND闪存芯片将主要供应给苹果iPhone 3GS手机使用，而后者在上市的三天内就卖出了100万部。（我们几天前发布的iPhone 3GS拆解文章显示，这款手机中确实使用的是东芝的NAND闪存芯片。）

据分析称，东芝的3-bit/cell MLC闪存技术有效增加了闪存芯片的存储密度，并减小制造成本，对三星是个不小的威胁。东芝今年2月份正式公布了旗下基于32nm制程的3-bit/cell闪存芯片产品，并计划于今年下半年开始这款产品的量产。因此三星选择在现在放出35nm制程NAND闪存芯片的样品可谓针锋相对。

根据DRAMeXchange的统计，六月份下半期主流16Gb MLC NAND闪存芯片的价格将保持在4.06美元不变；而32Gb MLC NAND闪存芯片的价格则将在-3.33%-2.5%的涨幅之间波动，平均售价将达到7美元。

CNBeta编译
原文：digitimes