NAND闪存芯片价格连跌了6个季度，上游厂商叫苦不迭，但是下游厂商及消费者总算喘了口气，智能手机128GB容量都是标配了，1TB SSD硬盘也实惠多了，可以让HDD硬盘见鬼去了。NAND闪存下一步还要怎么发展？我们知道提高3D NAND闪存容量现在主要有两个方向了，一个是提高堆栈层数，今年多家NAND公司量产了96层堆栈的3D闪存，三星日前还首发了136层堆叠、256Gb（32GB）的第六代V NAND（3bit，也就是TLC）闪存，很快其他厂商也会跟上。

另一个提高闪存容量、降低成本的方式就是提高闪存cell单元的bit位元，所以就有了SLC、MLC、TLC、QLC闪存之分，它们每个单元中分别容纳了1bit、2bit、3bit、4bit位元，而主控需要控制2组、4组、8组、16组不同的电压，越来越复杂，而且写入性能直线下降，可靠性也会下滑。

QLC闪存从去年到现在正在快速进入市场，但是大家对QLC闪存的评价可不高，虽然市售产品的性能指标看起来不错，但是没有了SLC缓存、DRA缓存拉高性能，QLC闪存的原始写入性能实际上只有80MB/s，比HDD硬盘都不如（但随机性能依然秒杀）。

这个问题也是QLC闪存普及的障碍，不过普通人也没什么办法，随着生产的扩大，QLC闪存迟早会是主流选择之一。

那QLC闪存之后，实际上5bit MLC闪存也一直在研究中，其名字可能是Penta Level Cells，简称PLC，它要控制32组不同的电压，更加复杂了，所以过去一两年虽有零星报道，但是谈量产、上市还有点早。

在刚刚开幕的2019 FMS国际闪存会议上，东芝已经开始探讨PLC闪存的可能了，目前还没实物，但是这也代表着PLC闪存已经开始崭露头角了，说不定哪天就真的上市了。

对于PLC闪存，现在没有什么实际的规格、性能，但是QLC闪存性能都比不过HDD硬盘，QLC只能更渣，这个是天生的，只能靠各种缓存技术来提升下了。