镁光表示，明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
CNBeta编译
原文：tcmagazine
镁光34nm企业级MLC/SLC NAND闪存进入试样阶段：明年初量产
发布日期:2009-10-19 21:51:09
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镁光34nm制程企业级MLC/SLC NAND闪存芯片已经进入试样阶段，MLC部分的存储密度可达32Gb，写入寿命达3万次，是普通MLC产品的6倍；SLC部分存储密度为16Gb，写入寿命同样为3万次，是普通SLC产品的3倍.
镁光这次开发成功的34nm MLC/SLC闪存芯片支持ONFI2.1接口规范（Open NAND Flash Interface），数据传输率最高可达200MB/S，而且可以采用闪存封装内部集成多片闪存芯片的封装方案。
镁光表示，明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
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镁光表示，明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
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