SK海力士将DRAM与NAND整合至单一封装 实现更高的AI性能
摘要：
作为存储芯片领域的领先企业，SK海力士正加快扩展其产能，以满足行业日益上涨的芯片需求。公司近期正筹备全新技术，力图进一步提升移动及边缘设备上的AI工作负载处理能力。
据多家韩国媒体报道，SK海力士正在研发新型计算机内存，以加速本地AI运算。这项名为高带宽存储（HBS）的新技术，是此前高带宽闪存（HBF）方案的拓展，将移动DRAM和NAND闪存组件合并于同一设备，专为智能手机、平板等移动设备的AI负载提速而设计。该芯片最多可垂直堆叠16层DRAM与NAND，通过独特的垂直导线扇出结构（VFO）实现层间互连。
SK海力士早前已在Apple Vision Pro产品中采用VFO DRAM，但HBS技术则进一步整合了NAND闪存。公司2023年发布时强调，VFO不仅提高封装效率，还改善散热和芯片体积缩减。与传统弯导线连接方式相比，VFO可将层间电子传输空间需求减少4.6倍，整体能效提升4.9%，散热提升1.4%，芯片厚度减至传统方案的73%。
与和SanDisk合作开发的HBF技术不同，HBS无需穿硅通孔（TSV），制造环节更简化，良品率更高，生产成本更低，有利于在半导体行业广泛推广。
新型DRAM+NAND堆叠模块将直接与应用处理器（AP）共封装，显著提升智能手机及SoC终端的数据处理速度。SK海力士此次创新，目标是进一步推动移动端AI性能提升。虽然具体表现尚有待实际检验，公司计划于2029年至2031年正式发布该项技术。目前由于2026年新一代芯片销售火爆，SK海力士产能已出现紧张。
