英特尔拟推双面供电14A Gen2工艺 迎战台积电与三星1.4纳米攻势

根据目前各方的规划，台积电预计最快于明年让其A14晶圆厂上线，而三星电子则瞄准在2029年实现其1.4纳米工艺的量产。面对竞争对手的步步紧逼，英特尔原本就计划在未来一年内推出其突破性的14A技术，并借此吸引外部代工客户以重塑其晶圆代工业务。而此次传出的14A2，则是针对标准14A工艺进行技术精细化与成熟化改进的重要结晶。

在技术架构上，标准的14A工艺采用的是“PowerDirect”技术，即背面供电网络（BSPDN）。然而最新的行业消息显示，英特尔正在考虑在后续的14A2工艺中引入颠覆性的“双面”（Dual Side）供电架构，这意味着芯片将同时利用正面和背面进行供电。此外，基础14A工艺的M0金属间距（Pitch）将缩减至28纳米，而全新的14A2工艺则计划通过双重图形曝光（Double Patterning）等改良技术，将金属间距进一步压缩至21纳米，从而实现更高的晶体管密度。鉴于此前基础版14A已宣布能带来约30%的晶体管密度提升，14A2的密度增益无疑将更具优势。

尽管这一升级能够大幅提升高管径高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机等昂贵设备的使用率、提高单台机器的盈利能力，但21纳米的超细间距也带来了技术并发症，例如电阻的大幅增加。同时，现有的纳米硅通孔（nTSVs）设计也难以直接承受如此高密度的电力负载。为了攻克这一瓶颈，据传英特尔已经采用了一种复合结构，即继续将背面供电网络（BSPDN）作为核心的主要供电源，但同时将一部分电力配给分配给正面金属层，以维持整体电路的稳定。

当前，台积电正面临着订单量几乎饱和的局面，这也促使众多芯片设计厂商开始将目光投向英特尔和三星等其他代工厂。英特尔目前对重夺半导体制造领域的领导地位充满信心，但作为晶圆代工市场的后来者，它仍需向外部客户证明其大规模量产的实力。从目前的市场格局来看，英特尔后续的18A-P、14A以及全新曝光的14A2工艺，都已经成为了整个半导体行业瞩目的焦点。