和硬盘一样，为增大磁带机的存储容量，提升磁带上磁介质的密度是一项关键。不过，对于已经进入纳米级尺度的磁粉微粒来说，进一步提升密度谈何容易。 此次的技术突破分为两方面，一方面是万胜的磁介质设计、评估技术，另一方面则是由东京科技大学物理电子学系副教授Shigeki Nakagawa研发的“相面对靶溅镀”技术。该技术可以在常温下，将直径不足10纳米的磁介质，均匀溅镀在4.5微米厚的基膜上，形成一层极薄的致密磁 介质膜，存储密度45.0Gb/in2，从而有望造出50TB单卷的超大容量磁带。

日立万胜公司和东京工业大学已经在本周日本仙台举行的垂直磁存储技术会议上公布了该技术论文，不过距离实际应用显然还有不短的距离。

编译/驱动之家