Grandis公司始建于2002年，公司成立后主要研发与STT-RAM有关的存储技术。外界一致认为STT-RAM是一种融合了DRAM内存的成本优势，SRAM的高速读写性能优势，以及非易失性闪存三者优势与一身的存储技术。同时身为第二代磁电阻式存储技术（MRAM）的STT-RAM据称还可以弥补第一代MRAM的主要缺点。Grandis从多位风险投资者手中得到了总额1500万美元的研发赞助费用，这些投资者包括Applied Ventures，Sevin Rosen Funds, Matrix Partners, Incubic 以及 Concept Ventures等。
2010年6月，Grandis改变了其产品未来发展计划，将其STT-RAM产品的未来发展目标定位为取代传统DRAM内存，并最终取代NAND闪存。
通常认为STT-RAM是MRAM技术的第二代技术，这项技术解决了常规MRAM的一些问题。第一代MRAM的数据写入方式主要是向导线中通电使其周围产生磁场，从而改变邻近的存储单元的磁化程度。Grandis则认为，虽然这种方法的写入速度较快，但是其耗电量过大。
多年以来，无数MRAM及其它多种所谓的“下一代存储技术”的开发厂商曾多次在各种场合鼓吹称他们研发的技术将会取代其它各种现有的存储产品，实现存储市场“天下大一统”的目标，“你们信不信，反正我信”云云。然而这些说法目前看来均属空谈，而传统DRAM和NAND闪存的制程则仍在不断进步发展。
CNBeta编译
原文：eetimes