据韩国《先驱报》报道，英特尔晶圆代工业务有望赢得SK海力士HBM4E内存基础裸片的制造订单。报道称，SK海力士正考虑改变目前仅依赖台积电的供应模式，转而采取台积电与英特尔双重供应策略，而英特尔晶圆代工可能获得其中相当大的一部分订单。

HBM4E内存支持在基础裸片上集成定制逻辑，并在其上方堆叠DRAM裸片。此前，SK海力士在这一应用上只考虑台积电，如今英特尔也进入了候选名单。

通过这种设计，客户可以直接在HBM4E基础裸片中集成内存控制器、PHY等定制逻辑，从而大幅减少这些组件在主计算芯粒上占用的面积。SK海力士将把设计方案交给英特尔，由英特尔生产基础裸片并提供给SK海力士，后者随后再在其上堆叠DRAM裸片。

这种方式能够释放AI加速器主计算芯粒上的空间，以容纳更多处理单元，同时降低延迟并显著提升性能。不过，目前尚不清楚SK海力士最终会选择英特尔的哪一款制程节点。

在HBM3E之前，SK海力士一直使用自有制程制造基础裸片。但由于这些制程属于10纳米级别，客户如今开始要求更加先进的制造工艺。

目前，SK海力士为HBM4基础裸片采购台积电12纳米制程，而HBM4E则需要更先进的工艺。英特尔10、英特尔4/3，以及英特尔18A及其衍生版本，都有可能成为候选方案。不过，考虑到供应链因素以及HBM本身已经很高的成本，采用英特尔3或英特尔4等较成熟节点在财务上更具合理性。

无论SK海力士最终选择哪一款制程，英特尔晶圆代工准备承接更多订单都被视为一个积极信号。在2026年Hot Chips大会上，与会信息显示，SK海力士已经验证其设计能够与英特尔EMIB-T封装技术配合使用。预计TSV将支持多层堆叠芯片之间的垂直供电，从而配合SK海力士提出的方案，在封装层面为3D内存模块实现垂直供电。