尔必达新鲜研发的LPDDR3内存颗粒采用30nm CMOS制程，FBGA封装，颗粒带宽32bit。速度方面最高可达1600Mbps（等效DDR3-1600），内存带宽可达6.4GB/s。
功耗方面，新的LPDDR3内存颗粒运行电压1.2V，相比上代LPDDR2功耗可减少约25%。此外，还可采用PoP（Package on Package）堆叠式封装制造8Gbit或16Gbit的颗粒。
用于移动设备的LPDDR2与LPDDR3内存颗粒规格对比
尔必达新鲜研发的LPDDR3内存颗粒采用30nm CMOS制程，FBGA封装，颗粒带宽32bit。速度方面最高可达1600Mbps（等效DDR3-1600），内存带宽可达6.4GB/s。
功耗方面，新的LPDDR3内存颗粒运行电压1.2V，相比上代LPDDR2功耗可减少约25%。此外，还可采用PoP（Package on Package）堆叠式封装制造8Gbit或16Gbit的颗粒。
用于移动设备的LPDDR2与LPDDR3内存颗粒规格对比