Williams表示，模拟中，一个记忆电阻器的功率等同于10个晶体管的功率，因为它不是使用打开或者关闭模式来代表晶体管上的0或者1，它使用的是一个涵盖了所有电压的模拟值。
记忆变阻器可以为固态硬盘提供更加小型而快速的原件。不过由于越来越少的记忆变阻器用于晶体管中，所以这些储存设备可能要比DRAM储存的价格还要低。
惠普预计记忆电阻器将于2014年商用
发布日期:2012-07-12 09:19:40
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早前，惠普公司声称他们将在2013年可以发售装载记忆电阻器的计算产品。不过最近，惠普记忆变阻器研发小组的负责人Stan Williams表示这个发售时间可能要推迟到14年或者更晚。Willimams解释道推迟的最主要原因是并非是科研上的技术压力，而是经济方面的压力。惠普于2008年宣布投入开发研究记忆电阻器的工作中。
Williams表示，模拟中，一个记忆电阻器的功率等同于10个晶体管的功率，因为它不是使用打开或者关闭模式来代表晶体管上的0或者1，它使用的是一个涵盖了所有电压的模拟值。
记忆变阻器可以为固态硬盘提供更加小型而快速的原件。不过由于越来越少的记忆变阻器用于晶体管中，所以这些储存设备可能要比DRAM储存的价格还要低。
Williams表示，模拟中，一个记忆电阻器的功率等同于10个晶体管的功率，因为它不是使用打开或者关闭模式来代表晶体管上的0或者1，它使用的是一个涵盖了所有电压的模拟值。
记忆变阻器可以为固态硬盘提供更加小型而快速的原件。不过由于越来越少的记忆变阻器用于晶体管中，所以这些储存设备可能要比DRAM储存的价格还要低。
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