在IBM的强力支持下，联电会继续改进14nm FinFET工艺的内部开发，为移动计算和通信产品提供低功耗的新工艺。
10nm合作上，IBM联盟会针对联电客户的需求开发基准10nm工艺，联电则会派出一队工程师，前往纽约州奥尔巴尼，参与10nm的开发工作。
联电的14nm FinFET、10nm工艺部署会在其台南研发中心展开。
在IBM的强力支持下，联电会继续改进14nm FinFET工艺的内部开发，为移动计算和通信产品提供低功耗的新工艺。
10nm合作上，IBM联盟会针对联电客户的需求开发基准10nm工艺，联电则会派出一队工程师，前往纽约州奥尔巴尼，参与10nm的开发工作。
联电的14nm FinFET、10nm工艺部署会在其台南研发中心展开。