三星Galaxy S24 Ultra上使用的钛金属减重效果预计无法与苹果的相提并论

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三星发布具有更佳动态范围和视频功能的5000万像素ISOCELL GNK传感器

2023-11-04316

传言称三星仅订购了用于Galaxy S24 Ultra型号的1500万个钛金属边框

2023-11-04321

三星继承人将出售价值15.7亿美元股份 用以支付遗产税

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三星向ITC投诉京东方窃取知识产权及不正当竞争

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加入钛合金材质的三星Galaxy S24系列发布日期泄露 早于大多数人的预期

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三星定制骁龙8 Gen 3同样只是略微超频的Cortex-X4核心 性能提升微乎其微

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三星可能推出金色中框的Galaxy S24 Ultra机型

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高通CEO确认三星Galaxy S24采用双芯片策略 大部分市场将采用骁龙版本

2023-11-02247

钛合金中框 三星Galaxy S24 Ultra渲染图出炉

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三星电子三季报净利润超预期 预计明年存储市场复苏 AI需求持续旺盛

2023-10-31161

三星三季度营业利润同比下滑78% 芯片业务亏损收窄

2023-10-31175

传三星Exynos 2500将采用未命名的RDNA4 GPU 支持更快的LPDDR5T内存

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三星Galaxy Z Flip5复古版发布 致敬历史经典E700

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三星宣布为其2亿像素ISOCELL传感器加入基于AI的变焦功能

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三星表示已做好卫星通信方面的技术储备 Galaxy S24系列有望首次支持

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挑战Intel/AMD 三星计划推出适用Windows PC处理器

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三星Galaxy S24、S24+和S24 Ultra号称将成为"史上最智能的 AI 手机"

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三星SDI和现代汽车首次签署电池供应协议：满足50万辆电动车所需

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获“无限期豁免”后 三星西安工厂将升级236层NAND技术

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三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm

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三星为Galaxy S24系列机型找到第四家电池供应商 来自印度

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三星推出HBM3E "Shinebolt"、GDDR7 和LPDDR5x CAMM2内存

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三星公布芯片计划：3年内量产2纳米 5年内超越台积电

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15999元轻薄大折叠旗舰 三星W24图赏

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三星高管透露将于2024年推出300层以上的V-NAND

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三星积极推进第五代HBM3e 传输速度高达1.228 TB/s

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三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s 秒传百部电影

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三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

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三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层

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